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元件参数资料
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参数目录43823
> FDB029N06 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
型号:
FDB029N06
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
FDB029N06 PDF
产品目录绘图
D2PAK, TO-263AB Pkg
标准包装
800
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
120A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
3.1 毫欧 @ 75A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
151nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
9815pF @ 25V
功率 - 最大
231W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
D²PAK
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1606 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
FDB029N06TR
查看FDB029N06代理商
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